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体育平台天博:源门控晶体管(SGT)的结构和输出特性
2022-08-21 09:32:44 | 来源:天博体育官网app 作者:天博体育官网welcome

  来自萨里大学(University of Surrey)和德国斯图加特马克斯·普朗克研究所(Max Planck Institute in Stuttgart)的研究人员已经提出了一系列建议,这些建议可能会让非常规电子设备的研究工作出现爆炸式增长。

  晶体管是一种小型电子开关和放大器,它们构成了支撑所有现代技术的电子电路。薄膜晶体管(TFTs)是用低成本的材料和技术制造的,这意味着可以经济地制造大面积电路。典型的应用是显示屏和成像阵列,以及众多新兴的传感器和可穿戴应用。

  通常,当科学家们在探索用于制造薄膜晶体管的新材料组合时,会遇到不规则或意想不到的行为,他们会放弃这个研究方向,转而研究不同的材料。然而,萨里郡领导的研究小组的发现表明,他们改变策略可能为时过早,他们可能错过了一条重要的调查线索。低效薄膜晶体管的一些特征可能是未优化的源门控晶体管(SGT)行为的标志。sgt是萨里大学(University of Surrey)发明和完善的一类TFT,在通常的TFT性能指标中得分较低,但具有显著的放大和均匀性优势,使它们在越来越多的新兴应用中非常有用,例如隐形技术和环境传感器。

  在他们最近发表在《先进电子材料》杂志上的文章中,研究团队给出了许多例子,证明了平淡的TFT行为可以转化为高性能的SGT操作。它们都有一个秘密的成分,这个成分经常被忽视,但却是确保晶体管成功实现的关键,特别是半导体和晶体管关键区域的绝缘层的相对静电特性。他们建议这样做:

  首先,研究人员需要创造一个足够高的源势垒,以确保在所有偏置条件下源区域的电阻明显高于信道。这是SGT功能的要求。

  关键的是,选择有源和绝缘层的材料和厚度,使饱和系数保持在0.3以下,理想情况下接近0.1,以允许在低电压下发生放大。

  保持源极栅极重叠至少为半导体厚度的100倍,以确保漏极电流由源极大部分的电荷注入控制,降低晶体管在制造过程中对温度和变化的敏感性。

  “虽然试图获得理想的接触性能几乎总是可取的,但这并不总是可能的。即使这样,有用的功能也可以通过对材料和过程的精心匹配来满足所需的应用需求。工程师现在可以选择优化开关性能或其他一些理想的属性。将薄膜晶体管技术发展到目前的水平需要许多年的努力和众多研究人员的努力。非标准设备的发展还有很长的路要走。”

  最近大量的出版物报道了各种材料系统中的源栅晶体管,这暗示了这种类型的晶体管会变得多么流行。当预期的薄膜晶体管操作没有实现时,很有可能许多其他的实验都被缩短了,忽略了在这个过程中创造优秀的sgt的机会。我们相信,许多研究小组会发现我们的建议是设计高性能电子系统的有用参考,远远超出当前物联网的愿景。”

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